VIII) Procédé de fabrication de transistors MOS :

Avant de détailler les procédés de fabrication des transistors MOS, il peut être utile de rappeler qu'il existe quatre types principaux de transistors dont les représentation schématiques et les caractéristiques électriques directe et de transfert sont regroupées ci-dessous.. Il s'agit des transistors NMOS à enrichissement ou à appauvrissement, qui sont aussi respectivement normalement non conducteurs ou normalement conducteurs (normally-off ou normally-on), et les transistors PMOS à enrichissement ou a appauvrissement.

 

Figure 75 : Réprésentation schématique d'un transistor NMOS à enrichissement ou normalement non conducteur. La tension de seuil est positive.

Figure 76 : Réprésentation schématique d'un transistor NMOS à appauvrissement ou normalement conducteur. La tension de seuil est négative.

Figure 77 : Réprésentation schématique d'un transistor PMOS à enrichissement ou normalement non conducteur. La tension de seuil est négative.

Figure 78 : Réprésentation schématique d'un transistor PMOS à appauvrissement ou normalement conducteur. La tension de seuil est positive.