Ces technologies sont apparues depuis une trentaine d'années. Pour tenirla tension élevée, il faut que la distance entre la zone de canal et le drain soit suffisamment grande pour permettre à la zone de charge d'espace de s'étendre afin de limiter le phénomène d'avalanche par multiplication par ionisation par impact. Il faut donc une double zone de drain, l'une faiblement dopée pour permettre l'extension de la zone de charge d'espace, l'autre fortement dopée pour minimiser les pertes résistives. La terminologie DMOS vient de double drain.
Soit la zone de charge d'espace s'étale latéralement comme dans le cas du LDMOS (Lateral DMOS) avec un fort décalage du contact de drain (figure 79), soit verticalement. Dans ce dernier cas, une tranchée en forme de V (figure 80)est réalisée grâce aux propriétés anisotropiques des gravures du Silicium, en partant d'un substrat d'orientation cristalline <100>, les faces du V ont l'orientation cristalline <111>, ou par gravure plasma anisotropique profonde (figure 80bis). Ainsi, pour les deux types de structures, dans les trois exemples donnés, les zones N - de grandes dimensions permettent des tenues en tension élevées. Il faut cependant noter que malgré la mise en parallèle d'un grand nombre de canaux, le rapport des surfaces conductrices sur la surface totale reste faible et donc le courant total drainé reste relativement faible par rapport aux structures bipolaires ou thyristors de puissance.
Figure 79 : Représentation schématique d'un transistor MOS de puissance de type LDMOS (Lateral Double Drain MOS). La zone N- située entre le drain et le canal permet une extension de charge d'espace importante, et donc une forte tenue en tension.
Figure 80bis : Représentation schématique d'un transistor MOS de puissance vertical. La zone de canal est située de part et d'autre d'une tranchée profonde oxydée et remplie par du silicium polycristallin.
Il faut cependant noter que malgré la mise en parallèle d'un grand nombre de canaux, le rapport des surfaces conductrices sur la surface totale reste faible et donc le courant total drainé reste relativement faible par rapport aux structures bipolaires ou thyristors de puissance. Toutefois, comme ces technologies de puissance sont surtout limitées par la puissance totale dissipée, pour les structures à hautes tensions, le courant n'est pas le plus limitatif et les structures MOS ont bénéficié d'un très grand développement ; cette technologie reste compatible avec la technologie MOS sans ajouter trop d'étapes technologiques spécifiques (comme dans le cas du bipolaire ou du thyristor par exemple). En effet, cette technologie est compatible avec la technologie CMOS intégrée . C’est pour cette raison qu’il est maintenant possible de fabriquer des composants appelés « smart power » , qui sont en fait des composants de puissance associés à une électronique de commande « intelligente ». On trouve de plus en plus de ces circuits dans les applications télécommunications, automobiles ou tout simplement en domotique, dans ce dernier cas l’alimentation pouvant être directement le réseau habituel des habitations (220V, 50Hz par exemple).
